BS2I

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BS2I-IC
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区福华路世贸广场C座1106/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
369
Parallax Inc.
25+
-
真实的资源竭诚服务您！

BS2I-IC
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-621049316210489162104578
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Parallax Inc.
标准封装
16+
-
假一罚十

BS2I
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生/曹先生
电话：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
885373
MPD (Memory Protection De
最新批次
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BS2I-IC
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
450789
Parallax Inc.
最新批次
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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功能描述
BATTERY CONNECT/SNAP 9V 2" LEADS
制造商
mpd (memory protection devices)
系列
*
零件状态
在售
标准包装
500

BS2I 技术参数

BS2EP 功能描述:EXPLOSION PROOF ENCLOSURE KIT 制造商:omron automation and safety 系列:BeamSafe? II-EP 零件状态:有效容器类型:带安装法兰的盒子大小/尺寸:11.287" 长 x 7.787" 宽（286.70mm x 197.80mm）高度:6.161"（156.50mm）面积（L x W）:87.9"（567cm）设计:包含盖材料:金属 - 铝颜色:自然色厚度:- 特性:窗口等级:IP66，NEMA 4X 材料可燃性等级:- 发货信息:从 Digi-Key 运送重量:25 磅（11.3kg）标准包装:1 BS2E-IC 功能描述:单板计算机 BASIC STAMP RoHS:否制造商:Ampro By ADLINK 外观尺寸:EPIC 处理器类型:Intel Atom D510 频率:1.66 GHz 存储容量:2 GB (max) 存储类型:DDR2, L2 Cache 接口类型:Ethernet, PS/2, SATA, Serial, USB 工作电源电压:5 V, 12 V 功耗:13 W 最大工作温度:+ 70 C 尺寸:165.1 mm x 114.3 mm BS270-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）基本零件编号:BS270 标准包装:1 BS270_D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 BS270 功能描述:MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 BS2PX24 BS2RC24 BS2SX-IC BS2T-HD BS2XC24 BS-3 BS-300.000MBB-T BS-300.000MBC-T BS-300.000MCB-T BS-300.000MCC-T BS-31-10 BS-31-10-NB BS-31-10-P BS-312.500MBC-T BS-312.500MCC-T BS-31-4S BS-31-4S-NB BS-31-4S-P