BSC0502NSIATMA1全国供应商 BSC0502NSIATMA1资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

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封装
批号
价格
说明
操作

BSC0502NSIATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
606
INFINEON
NA
23+
-
查现货！就到京北通宇商城

BSC0502NSIATMA1
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
17+
-
全新原装现货

BSC0502NSIATMA1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BSC0502NSIATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
606
INFINEON
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

BSC0502NSIATMA1
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
606
INFINEON
con
23+
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

BSC0502NSIATMA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
英飞凌
TO-3P
22+
-
原装现货

BSC0502NSIATMA1
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
2698
Infineon Technologies
SMD
22+
-
授权分销商，可追溯原厂可含税

BSC0502NSIATMA1
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
10
INFINEON
C72-晶体管
-

BSC0502NSIATMA1
深圳市盛芯世纪科技有限公司
深圳市盛芯世纪科技有限公司
联系人：杨先生，www.dz-ic.cn
电话：0755-8397991513312996395
地址：深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F
资质：营业执照
6
INFINEON
INFINEON
21+
-
原装正品www.dz-ic.cn

BSC0502NSIATMA1
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
12968
Infineon(英飞凌)
22+
-
全新原装现货

BSC0502NSIATMA1
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BSC0502NSIATMA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
5000
INFINEON
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
制造商
infineon technologies
系列
OptiMOS??
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
26A（Ta），100A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
2.3 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1600pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PG-TDSON-8
标准包装
5,000

BSC0502NSIATMA1 技术参数

BSC0501NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:29A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC0500NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC048N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），89A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.8 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 35μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2670pF @ 15V 功率 - 最大值:63W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC047N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 40V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC046N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 120μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4500pF @ 50V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8（5.15x6.15）标准包装:1 BSC052N03LSATMA1 BSC052N03S G BSC052N08NS5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03MSGATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 BSC059N03S G BSC059N03ST BSC059N04LSGATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC060P03NS3E G BSC060P03NS3EGATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 BSC066N06NSATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1

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