BSC883N03MSGATMA1

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSC883N03MSGATMA1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BSC883N03MSGATMA1
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
17+
-
全新原装现货

BSC883N03MSGATMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSC883N03MSGATMA1
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

1/1页 40条/页共6条
1

您是不是要找： BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1 BSC900N20NS3 G BSC900N20NS3GATMA1 BSC9131NJE7HHHB BSC9131NJN1HHHB BSC9131NJN7HHHB

BSC883N03MSGATMA1 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSC883N03MSGATMA1 PDF下载

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TDSON EP
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8

BSC883N03MSGATMA1 技术参数

BSC883N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:34V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），98A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2800pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC882N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:34V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4300pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC882N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 BSC750N10NDGATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 12μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:720pF @ 50V 功率 - 最大值:26W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 基本零件编号:BSC750N10 标准包装:1 BSC750N10ND G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 12μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:720pF @ 50V 功率 - 最大值:26W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8（5.15x6.15）标准包装:1 BSC9131NLE7HHHB BSC9131NLN1HHHB BSC9131NSE7KHKB BSC9131NSN1KHKB BSC9131NSN7KHKB BSC9131NXE7KHKB BSC9131NXN1KHKB BSC9131NXN7KHKB BSC9132NSE7KNKB BSC9132NSE7MNMB BSC9132NSN7KNKB BSC9132NSN7MNMB BSC9132NXE7KNKB BSC9132NXE7MNMB BSC9132NXN7KNKB BSC9132NXN7MNMB BS-COVER BSD-04BFFM-SL6A01