BSF-HD

配单专家企业名单

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数量
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封装
批号
价格
说明
操作

BSF-HD
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
MPD (Memory Protection De
标准封装
16+
-
假一罚十，原装正品

BSF-HD
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品质量保障电话010-62104...

BSF-HD
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
4956
MPD (Memory Protection De
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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1

您是不是要找： BSG0810NDIATMA1 BSG0811NDATMA1 BSG0813NDIATMA1 BSH-020-01-C-D-A BSH-020-01-F-D BSH-020-01-F-D-A BSH-020-01-F-D-A-TR BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR

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功能描述
9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY
RoHS
是
类别
电池产品 >> 电池座，夹，触点
系列
-
标准包装
100
系列
-
电池类型，功能
圆柱形，触点（单）
样式
触点弹簧（线圈）
电池大小
多重
单元数
-
电池系列
-
安装类型
自定义
端接类型
-
板上方高度
-
工作温度
-
配用
P670-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AAA 4 PACKP671-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AA 4 PACKP672-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AAA 2 PACKP673-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AA 2 PACKP674-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AAAP675-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AATL-4903-ND - BATT LTH AA 3.6VLR03XWA/C-ND - BATT IND ALKALINE AAA SIZELR6XWA/C-ND - BATT IND ALKALINE AA SIZEP649-ND - BATTERY IND ALKALINE AAA更多...
其它名称
211K

BSF-HD 技术参数

BSF450NE7NH3XUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta），15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:390pF @ 37.5V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:5,000 BSF134N10NJ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），43W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.4 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封装/外壳:3-WDSON 标准包装:1 BSF134N10NJ3 G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 50V 功率 - 最大值:43W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSF083N03LQ G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），53A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 15V 功率 - 最大值:36W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:5,000 BSF077N06NT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），56A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 33μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3700pF @ 30V 功率 - 最大值:38W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A BSH-030-01-F-D-A-TR BSH-030-01-F-D-EM2 BSH-030-01-F-D-LC BSH-030-01-F-D-LC-TR