BSF134N10NJ3GXUMA1

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
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封装
批号
价格
说明
操作

BSF134N10NJ3GXUMA1
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
6418
INFINEON/英飞凌
WDSON-2
23+
-
原厂原装正品现货

BSF134N10NJ3GXUMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
0
INFINEON
NA
23+
-
功率MOSFET

BSF134N10NJ3GXUMA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
英飞凌
TO-3P
22+
-
原装现货

BSF134N10NJ3GXUMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSF134N10NJ3GXUMA1
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3029
INFINEON/英飞凌
WDSON-2
2237+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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1

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 7-Pin WDSON
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

BSF134N10NJ3GXUMA1 技术参数

BSF134N10NJ3 G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 50V 功率 - 最大值:43W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSF083N03LQ G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），53A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 15V 功率 - 最大值:36W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:5,000 BSF077N06NT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），56A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 33μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3700pF @ 30V 功率 - 最大值:38W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSF053N03LT G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta），71A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:5,000 BSF050N03LQ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3000pF @ 15V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A BSH-030-01-F-D-A-TR BSH-030-01-F-D-EM2