BSG0813NDIATMA1

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSG0813NDIATMA1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-TISON-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BSG0813NDIATMA1
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Infineon Technologies
PG-TISON-8
17+
-
全新原装现货

BSG0813NDIATMA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
英飞凌
TO-3P
22+
-
原装现货

BSG0813NDIATMA1
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原装正品

BSG0813NDIATMA1
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
PG-TISON-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

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功能描述
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
制造商
infineon technologies
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
19A， 33A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
8.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1100pF @ 12V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 155°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PG-TISON-8
标准包装
5,000

BSG0813NDIATMA1 技术参数

BSG0811NDATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A， 41A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TISON-8 标准包装:1 BSG0810NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A， 39A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1040pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TISON-8 标准包装:5,000 BSF-HD 功能描述:9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件状态:有效电池类型，功能:9V，卡入式触点（单）样式:触点，卡入式（正极）电池尺寸:9V 电池数:- 电池系列:- 安装类型:自定义端子类型:- 板上高度:- 工作温度:- 标准包装:1,000 BSF450NE7NH3XUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta），15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:390pF @ 37.5V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:5,000 BSF134N10NJ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），43W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.4 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封装/外壳:3-WDSON 标准包装:1 BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A BSH-030-01-F-D-A-TR BSH-030-01-F-D-EM2 BSH-030-01-F-D-LC BSH-030-01-F-D-LC-TR BSH-030-01-F-D-RA-WT BSH-030-01-F-D-RA-WT-GP BSH-030-01-F-D-TR