BSH103@215

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BSH103@215 技术参数

BSH103,235 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:850mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:400mV @ 1mA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:83pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 500mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSH103,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:850mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:400mV @ 1mA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:83pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 500mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSH-100-01-L-D-DP-EM2 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包装:管件零件状态:在售连接器类型:差分对阵列，母针脚数:200 间距:0.020"（0.50mm）排数:2 安装类型:板边缘，跨骑式安装特性:- 触头镀层:金触头镀层厚度:10μin（0.25μm）接合堆叠高度:- 板上高度:- 标准包装:500 BSH-090-01-L-D-TR 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包装:带卷（TR）零件状态:在售连接器类型:插口，中央触点带针脚数:180 间距:0.020"（0.50mm）排数:2 安装类型:表面贴装特性:- 触头镀层:金触头镀层厚度:10μin（0.25μm）接合堆叠高度:5mm 板上高度:0.128"（3.25mm）标准包装:500 BSH-090-01-L-D-RA-WT-GP 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包装:管件零件状态:在售连接器类型:插口，中央触点带针脚数:180 间距:0.020"（0.50mm）排数:2 安装类型:表面贴装，直角特性:板导轨，固定焊尾触头镀层:金触头镀层厚度:10μin（0.25μm）接合堆叠高度:- 板上高度:0.285"（7.24mm）标准包装:1 BSH-120-01-C-D-A BSH-120-01-C-D-A-TR BSH-120-01-C-D-LC-TR BSH-120-01-F-D BSH-120-01-F-D-A BSH-120-01-F-D-A-TR BSH-120-01-F-D-EM2 BSH-120-01-F-D-LC BSH-120-01-F-D-LC-TR BSH-120-01-F-D-TR BSH-120-01-H-D BSH-120-01-H-D-A BSH-120-01-H-D-A-TR BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A