BSH121135

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 55V 300MA SOT323

BSH121135 技术参数

BSH121,135 功能描述:MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BSH-120-01-L-D-TR 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包装:带卷（TR）零件状态:在售连接器类型:插口，中央触点带针脚数:240 间距:0.020"（0.50mm）排数:2 安装类型:表面贴装特性:- 触头镀层:金触头镀层厚度:10μin（0.25μm）接合堆叠高度:5mm 板上高度:0.128"（3.25mm）标准包装:125 BSH-120-01-L-D-LC-TR 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包装:带卷（TR）零件状态:在售连接器类型:插口，中央触点带针脚数:240 间距:0.020"（0.50mm）排数:2 安装类型:表面贴装特性:板锁触头镀层:金触头镀层厚度:10μin（0.25μm）接合堆叠高度:5mm 板上高度:0.128"（3.25mm）标准包装:125 BSH-120-01-L-D-LC 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包装:管件零件状态:在售连接器类型:插口，中央触点带针脚数:240 间距:0.020"（0.50mm）排数:2 安装类型:表面贴装特性:板锁触头镀层:金触头镀层厚度:10μin（0.25μm）接合堆叠高度:5mm 板上高度:0.128"（3.25mm）标准包装:500 BSH-120-01-L-D-EM2 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包装:管件零件状态:在售连接器类型:插口，中央触点带针脚数:240 间距:0.020"（0.50mm）排数:2 安装类型:板边缘，跨骑式安装特性:- 触头镀层:金触头镀层厚度:10μin（0.25μm）接合堆叠高度:- 板上高度:- 标准包装:1 BSH-150-01-H-D-EM2 BSH-150-01-L-D BSH-150-01-L-D-A BSH-150-01-L-D-A-K BSH-150-01-L-D-A-LC BSH-150-01-L-D-EM2 BSH-150-01-L-D-LC BSH-180-01-C-D-A BSH-180-01-F-D-EM2 BSH-180-01-H-D-EM2 BSH-180-01-L-D BSH-180-01-L-D-A BSH-180-01-L-D-EM2 BSH18-Q BSH201,215 BSH202,215 BSH203,215 BSH205,215