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BSM200GA170DN2S_E3256

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  • BSM200GA170DN2S_E3256
    BSM200GA170DN2S_E3256

    BSM200GA170DN2S_E3256

    优势
  • 昆山开发区美科微电子商行
    昆山开发区美科微电子商行

    联系人:易春花

    电话:18951125455

    地址:开发区朝阳东路99号3号房2楼

  • 5000

  • 德国英飞凌

  • 全新原装

  • 19+

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • 功能描述
  • IGBT 模块 IGBT 1700V 200A
  • RoHS
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 产品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 600 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 1.95 V
  • 在25 C的连续集电极电流
  • 230 A
  • 栅极—射极漏泄电流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作温度
  • + 125 C
  • 封装 / 箱体
  • 34MM
  • 封装
BSM200GA170DN2S_E3256 技术参数
  • BSM1-X 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装 零件状态:过期 端子类型:对接接头,直插式,单独开口 进线数:2 端接:压接 线规:18-20 AWG 绝缘:非绝缘 特性:铜焊缝 颜色:- 标准包装:10 BSM1-C 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装 零件状态:过期 端子类型:对接接头,直插式,单独开口 进线数:2 端接:压接 线规:18-20 AWG 绝缘:非绝缘 特性:铜焊缝 颜色:- 标准包装:100 BSM180D12P3C007 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 50mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:12 BSM180D12P2C101 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 35.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):23000pF @ 10V 功率 - 最大值:1130W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:* 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:12 BSM150GD60DLC 功能描述:IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):180A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X
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