配单专家企业名单

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价格
说明
操作

BSM400GB120DN2
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
EUPEC
MODULE
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSM400GB120DN2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSM400GB120DN2
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
170
EUPEC
400A/1200V/IGBT/2U
2024+
-
全新现货价格优势

BSM400GB120DN2
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
10
EUPEC
MODULE
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

BSM400GB120DN2B
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
INFINEO
主营模块
22+
-
全新原装现货供应

BSM400GB120DN2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
98653
原厂
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

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您是不是要找： BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1

BSM400GB120DN2 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSM400GB120DN2 技术参数

BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM35GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:* 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，35A 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM30GD60DLCE3224 功能描述:IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:135W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM300D12P2E001 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 300A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 68mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:35000pF @ 10V 功率 - 最大值:1875W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:4 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C