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BSM50GB170DLC

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  • BSM50GB170DLC
    BSM50GB170DLC

    BSM50GB170DLC

    优势
  • 昆山开发区美科微电子商行
    昆山开发区美科微电子商行

    联系人:易春花

    电话:18951125455

    地址:开发区朝阳东路99号3号房2楼

  • 5000

  • 德国英飞凌

  • 全新原装

  • 19+

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  • 上海 苏州 深圳 现货

  • BSM50GB170DLC
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  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 101

  • EUPEC

  • 模块

  • 2022+

  • -
  • 全新原装 价格优惠

  • BSM50GB170DLC
    BSM50GB170DLC

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  • 深圳市鹏展胜电子有限公司
    深圳市鹏展胜电子有限公司

    联系人:林先生

    电话:0755-8276920313538142003

    地址:深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801

    资质:营业执照

  • 500

  • n/a

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 专营原装正品,价钱实惠,有现货,联系电话...

  • BSM50GB170DLC
    BSM50GB170DLC

    BSM50GB170DLC

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8500

  • EUPEC

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装特价现货!!

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BSM50GB170DLC 技术参数
  • BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:230W 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM35GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):* 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.2V @ 15V,35A 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM30GD60DLCE3224 功能描述:IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40A 功率 - 最大值:135W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM300D12P2E001 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 300A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 68mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):35000pF @ 10V 功率 - 最大值:1875W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:4 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C
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