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BSN304,126

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BSN304,126
    BSN304,126

    BSN304,126

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 10000

  • NXP

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • BSN304,126
    BSN304,126

    BSN304,126

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • PHI

  • 原厂封装

  • 13+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • BSN304,126
    BSN304,126

    BSN304,126

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • PHI

  • 原厂封装

  • 13+

  • -
  • BSN304,126
    BSN304,126

    BSN304,126

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • TO-92-3

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共11条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET AMMORA MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BSN304,126 技术参数
  • BSN254A,126 功能描述:MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):310mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 300mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BSN254,126 功能描述:MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):310mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 300mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BSN22-M 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 22-26 AWG Yellow 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装 零件状态:有效 端子类型:对接接头,直插式,单独开口 进线数:2 端接:压接 线规:22-26 AWG 绝缘:完全绝缘 特性:- 颜色:黄 标准包装:1,000 BSN22-C 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 22-26 AWG Yellow 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装 零件状态:有效 端子类型:对接接头,直插式,单独开口 进线数:2 端接:压接 线规:22-26 AWG 绝缘:完全绝缘 特性:- 颜色:黄 标准包装:100 BSN20Q-7 功能描述:MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 220mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:* 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 BSO080P03NS3GXUMA1 BSO080P03S H BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SNTMA1 BSO083N03MSGXUMA1 BSO094N03S BSO104N03S BSO110N03MSGXUMA1 BSO119N03S BSO130N03MSGXUMA1 BSO130P03S H BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SNTMA1 BSO150N03 BSO150N03MD G BSO150N03MDGXUMA1 BSO200N03 BSO200N03S
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