配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSO083N03MS G
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
INFINEON
SOP8
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSO083N03MS G
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
INF
SOP-8
23+
-
原装正品欢迎咨询

BSO083N03MS G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
INFINEON
其他电子元
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSO083N03MS G
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
14536
INFINEON
SOP-8
22+
-
原装现货可含税样品可拆

BSO083N03MS G
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
INFINEON
SO-8
22+
-
十年配单，只做原装

BSO083N03MS G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3500
Infineon
SO-8
13+
-
Infineon一级代理，价优

BSO083N03MS G
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
15005
Infineo
SOP8
1527
-
原装现货/特价

BSO083N03MS G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Infineon
SOP-8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSO083N03MS G
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
15889
INFINEON/英飞凌
SO-8
22+
-

BSO083N03MS G
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4131
Infineon/英飞凌
SOP-8
2203+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BSO083N03MS G
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
84000
INFINEON/英飞凌
SOP-8
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

BSO083N03MS G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
SO-8
INFINEON
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSO083N03MS G 技术参数

BSO080P03SNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 14.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:136nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5890pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO080P03SHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:136nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5890pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.79W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 14.9A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:P-DSO-8 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:1 BSO080P03S H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 14.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:136nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5890pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO080P03NS3GXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 14.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6750pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO080P03NS3EGXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 14.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6750pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO150N03 BSO150N03MD G BSO150N03MDGXUMA1 BSO200N03 BSO200N03S BSO200P03SHXUMA1 BSO200P03SNTMA1 BSO201SP H BSO201SPHXUMA1 BSO201SPNTMA1 BSO203PHXUMA1 BSO203PNTMA1 BSO203SP H BSO203SPHXUMA1 BSO203SPNTMA1 BSO204PNTMA1 BSO207PHXUMA1 BSO207PNTMA1