BSO130P03S MOS(场效应管)

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BSO130P03S MOS(场效应管)
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
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电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
INFINEON/英飞凌
SOP-8
23+
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BSO130P03S MOS(场效应管)
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
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地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
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INFINEON/英飞凌
P-DSO-8
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BSO130P03S MOS(场效应管) 技术参数

BSO130P03S H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 毫欧 @ 11.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 140μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO130N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 毫欧 @ 11.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO119N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.9 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1730pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO110N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 12.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO104N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.7 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2130pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:2,500 BSO201SP H BSO201SPHXUMA1 BSO201SPNTMA1 BSO203PHXUMA1 BSO203PNTMA1 BSO203SP H BSO203SPHXUMA1 BSO203SPNTMA1 BSO204PNTMA1 BSO207PHXUMA1 BSO207PNTMA1 BSO211PHXUMA1 BSO211PNTMA1 BSO215C BSO220N03MD G BSO220N03MSGXUMA1 BSO300N03S BSO301SP H