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BSO615NV

配单专家企业名单
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  • BSO615NV
    BSO615NV

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 250000

  • INFINEON

  • SOP-8

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,价格超越代理!

  • BSO615NV
    BSO615NV

    BSO615NV

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • INFINEON

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • BSO615NV
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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • INFINEON/英飞凌

  • SO-8

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • BSO615NV
    BSO615NV

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Infineon

  • 标准封装

  • 13+

  • -
  • 全新原装,现货,价优!

  • BSO615NV
    BSO615NV

    BSO615NV

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 1000

  • INFINEON

  • SMD8

  • 2012+

  • -
  • 只做原装正品

  • BSO615NV
    BSO615NV

    BSO615NV

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • INFINEON/英飞凌

  • SO-8

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • BSO615NV
    BSO615NV

    BSO615NV

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • Infineon

  • SOP8

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • BSO615NV
    BSO615NV

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 7600

  • I

  • SOP-8

  • 22+

  • -
  • 公司原装现货,可订货,有单来谈QQ:16...

  • BSO615NV
    BSO615NV

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  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
    深圳市艾飞琪电子科技有限公司

    联系人:曹先生

    电话:0755-239499810755-23037082

    地址:深圳市福田区都会大厦B座29S

  • 30000

  • INFINEON

  • so8

  • 12+

  • -
  • 全新原装现货

  • BSO615NV
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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • INFINEON

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装正品,优势供应

  • BSO615NV
    BSO615NV

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9800

  • INFINEON

  • 5CC6-1

  • 18+

  • -
  • 优势库存,原装现货

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A 8-Pin SO
BSO615NV 技术参数
  • BSO615NGHUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 2.6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 基本零件编号:BSO615 标准包装:1 BSO615N G 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 2.6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO615N 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 2.6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO615CT 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.1A,2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO615CGHUMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.1A,2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 基本零件编号:BSO615 标准包装:1 BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433 BSP125H6327XTSA1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135 BSP129E6327 BSP129E6327T BSP129H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1 BSP129L6327HTSA1 BSP129L6906HTSA1 BSP130,115 BSP135 E6327 BSP135 E6906
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