配单专家企业名单

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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSP135 L6327
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
6180
INFINEON
SOT223
23+
-
原厂原装正品现货

BSP135 L6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
SOT-223
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSP135 L6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
INFINEON
SOT223
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSP135 L6327
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
10000
INFINEON
SOT-223
22+
-
终端免费提供样品可开13%增值税发票

BSP135 L6327
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
4000
INFINEON
SOT-223
假一赔十！！
-
绝对原装现货！

BSP135 L6327
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4937
INFINEON
SOT-223
2234+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSP135 L6327 技术参数

BSP135 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 欧姆 @ 120mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP135 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 欧姆 @ 120mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP130,115 功能描述:MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 250mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BSP129L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 350mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP129L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 350mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP149H6327XTSA1 BSP149H6906XTSA1 BSP149L6327HTSA1 BSP149L6906HTSA1 BSP16T1 BSP16T1G BSP170PE6327 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1

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