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BSP171P E6919

配单专家企业名单
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  • BSP171P E6919
    BSP171P E6919

    BSP171P E6919

  • 深圳成德兴科技有限公司
    深圳成德兴科技有限公司

    联系人:马庆勇

    电话:0755-82567711

    地址:深南中路佳和电子大厦(华强三店)三楼3C072室

    资质:营业执照

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  • INFINEON

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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

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  • Infineon

  • SOT223

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 7600

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  • SOT23

  • 22+

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  • BSP171P E6919
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • Infineon

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • BSP171P E6919
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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4502

  • INFINEON

  • SOT23

  • 2226+

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  • BSP171P E6919
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

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BSP171P E6919 技术参数
  • BSP170PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 1.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):410pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP170PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 1.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):410pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP170PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 1.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):410pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP170PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 1.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):410pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP16T1G 功能描述:TRANS PNP 300V 0.1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:15MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135 BSP254A,126 BSP295E6327 BSP295E6327T BSP295H6327XTSA1 BSP295L6327HTSA1 BSP296 E6433 BSP296E6327 BSP296L6327HTSA1 BSP296L6433HTMA1 BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327
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