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BSP297E6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
inf
-
假一罚十，百分百原装正品

BSP297E6327NT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
1800
MOLEX
ROHS
13+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

BSP297E6327
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
联系人：陈伟
电话：0755-83979745
地址：新亚洲二期N2A090
500000
sie
22+
-
行业低价，代理渠道

BSP297E6327
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田区上步工业区405栋607室柜台号新亚洲二期N2B227
15600
inf
原厂原封装
2023+
-
全新原装部分发货3-5天

BSP297E6327NT
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
6000
英飞凌
NA
19+
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公司全新原装正品,QQ153058080...

BSP297E6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
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1000trsmd
最新批号
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代理此型号，原装特价现货！

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BSP297E6327 技术参数

BSP297 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:357pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP296NH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:152.7pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:4,000 BSP296NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:152.7pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP296L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700 毫欧 @ 1.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:364pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP296L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700 毫欧 @ 1.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:364pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP300H6327XUSA1 BSP300L6327HUSA1 BSP304A,126 BSP31,115 BSP3-120 BSP3-120-LC BSP315P-E6327 BSP315PE6327T BSP315PH6327XTSA1 BSP315PL6327HTSA1 BSP316PE6327 BSP316PE6327T BSP316PH6327XTSA1 BSP316PL6327HTSA1 BSP317PE6327 BSP317PE6327T BSP317PH6327XTSA1 BSP317PL6327HTSA1

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