BSP372L6327XT

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
TRANS MOSFET N-CH 100V 1.7A 4PIN SOT-223 - Cut TR (SOS)
制造商
Infineon Technologies
功能描述
Infineon Technologies BSP372L6327XT MOSFETs
制造商
Infineon Technologies
功能描述
Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

BSP372L6327XT 技术参数

BSP372L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:310 毫欧 @ 1.7A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:520pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP372 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:310 毫欧 @ 1.7A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:520pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP3-480-LC 功能描述:SURGE PROTECTOR 480V DRIVER 制造商:thomas research products 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 工作:480V 电压 - 箝位:2500V（2.5kV）技术:混合技术功率（W）:- 电路数:1 应用:LED 保护封装/外壳:模块，导线引线供应商器件封装:- 标准包装:50 BSP3-480-20KA-TN 功能描述:SURGE PROTECTOR - 480V - 20KA 制造商:thomas research products 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 工作:480V 电压 - 箝位:2500V（2.5kV）技术:混合技术功率（W）:- 电路数:1 应用:LED 保护封装/外壳:模块，导线引线供应商器件封装:- 标准包装:50 BSP3-480-20KA 功能描述:SURGE PROTECTOR 480V-20KA 制造商:thomas research products 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 工作:480V 电压 - 箝位:3000V（3kV）技术:混合技术功率（W）:- 电路数:1 应用:LED 保护封装/外壳:模块，导线引线供应商器件封装:- 标准包装:50 BSP50,115 BSP50E6327HTSA1 BSP50H6327XTSA1 BSP51 BSP51,115 BSP51H6327XTSA1 BSP52 BSP52,115 BSP52H6327XTSA1 BSP52T1 BSP52T1G BSP52T3 BSP52T3G BSP60,115 BSP603S2LHUMA1 BSP60E6327HTSA1 BSP60H6327XTSA1 BSP61,115