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BSS-025-01-C-D-A

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  • 制造商
  • Samtec Inc
  • 功能描述
  • .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY - Bulk
BSS-025-01-C-D-A 技术参数
  • BSS-016-01-L-D-DP-EM2 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包装:管件 零件状态:在售 连接器类型:差分对阵列,母 针脚数:32 间距:0.025"(0.64mm) 排数:2 安装类型:板边缘,跨骑式安装 特性:- 触头镀层:金 触头镀层厚度:10μin(0.25μm) 接合堆叠高度:- 板上高度:- 标准包装:1 BSS-016-01-H-D-DP-EM2 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包装:管件 零件状态:在售 连接器类型:差分对阵列,母 针脚数:32 间距:0.025"(0.64mm) 排数:2 安装类型:板边缘,跨骑式安装 特性:- 触头镀层:金 触头镀层厚度:30μin(0.76μm) 接合堆叠高度:- 板上高度:- 标准包装:1 BSS-016-01-F-D-DP-EM2 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包装:管件 零件状态:在售 连接器类型:差分对阵列,母 针脚数:32 间距:0.025"(0.64mm) 排数:2 安装类型:板边缘,跨骑式安装 特性:- 触头镀层:金 触头镀层厚度:3μin(0.08μm) 接合堆叠高度:- 板上高度:- 标准包装:1 BSR92PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):140mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 欧姆 @ 140mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):109pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:3,000 BSR92PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):140mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 欧姆 @ 140mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):109pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2 BSS-034-01-H-D-DP-EM2 BSS-034-01-L-D-DP-EM2 BSS-050-01-C-D-A BSS-050-01-F-D BSS-050-01-F-D-A BSS-050-01-F-D-A-TR BSS-050-01-F-D-DP-EM2 BSS-050-01-F-D-TR BSS-050-01-H-D BSS-050-01-H-D-A
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