配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSS119 L6327
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
21020
Infineon
SOT-23
22+
-
原装现货可含税样品可拆

BSS119 L6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Infineon
SOT23-3
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSS119 L6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
INFINEON
原厂封装
09+
-

BSS119 L6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
INFINEON
原厂封装
09+
-
全新原装100%正品保证质量

BSS119 L6327
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
INFINEON
SOT-23
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 0.17A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSS119 L6327 技术参数

BSS119 E7978 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS119 E7796 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:10,000 BSS119 E6433 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:10,000 BSS110 功能描述:MOSFET P-CH 50V 170MA TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:40pF @ 25V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 170mA，10V 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）基本零件编号:* 标准包装:2,000 BSS-100-01-L-D-LC-TR 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包装:带卷（TR）零件状态:在售连接器类型:插口，中央触点带针脚数:200 间距:0.025"（0.64mm）排数:2 安装类型:表面贴装特性:板锁触头镀层:金触头镀层厚度:10μin（0.25μm）接合堆叠高度:5mm 板上高度:0.135"（3.43mm）标准包装:125 BSS123_D87Z BSS123-7 BSS123-7-F BSS123ATA BSS123ATC BSS123E6327 BSS123L BSS123L6327HTSA1 BSS123L6433HTMA1 BSS123L7874XT BSS123LT1 BSS123LT1G BSS123LT3 BSS123LT3G BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6433XTMA1 BSS123TA BSS123TC

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