配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

BSS127 L6327
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512微信同号
地址：上步工业区501栋410室
20000
INFINEON/英飞凌
TO-92
23+
-
原装正品欢迎咨询

BSS127 L6327
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
INFINEON/英飞凌
SOT-23
23+
-
原装正品欢迎咨询

BSS127 L6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
INFINEON
SOT-23
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSS127 L6327
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
14520
INFINEON
SOT-23
22+
-
原装现货可含税样品可拆

BSS127 L6327
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
18500
INFINEON
SOT-23
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSS127 L6327
深圳市德江源电子有限公司
深圳市德江源电子有限公司
联系人：张先生
电话：8296641615986789713
地址：深圳市福田区华强北街道振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室
资质：营业执照
2900
INFINEON/英飞凌
TO-92
1044+
-
只做原装，假一赔十

BSS127 L6327
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15000
INFINEON
SOT23
1514+
-
全新原装现货

BSS127 L6327
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
7900
INFINEON/英飞凌
TO-92
23+
-
原厂原装正品现货

BSS127 L6327
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
32650
INFINEON/英飞凌
TO-92
2022+
-
全新原装现货，可以开13%增值发票

BSS127 L6327
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
7600
INFINEO
SOT-23
22+
-
公司原装现货，可订货，有单来谈QQ:16...

BSS127 L6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
TO-92
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSS127 L6327
深圳市信通吉电子有限公司
深圳市信通吉电子有限公司
联系人：冯
电话：17841084408
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20
32500
原装正品
SOT-23
2019+
-
香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

BSS127 L6327
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

BSS127 L6327
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
INFINEON
SOT-23
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 0.21A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSS127 L6327 技术参数

BSS127 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS127 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS126L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS126L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS126H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:28pF @ 25V FET 功能:耗尽模式功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS138 BSS138_D87Z BSS138_F085 BSS138_L99Z BSS138-7 BSS138-7-F BSS138AKA/LF1R BSS138AKAR BSS138BK,215 BSS138BKS,115 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7 BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13 BSS138DWQ-7

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