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BSS131(SRS)

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    BSS131(SRS)

    BSS131(SRS)

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 250000

  • INFINEON

  • SOT23

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,价格超越代理!

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BSS131(SRS) 技术参数
  • BSS131 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):240V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 欧姆 @ 100mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 56μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS127SSN-7 功能描述:MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 欧姆 @ 16mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.08nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):21.8pF @ 25V 功率 - 最大值:610mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 BSS127S-7 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 欧姆 @ 16mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.08nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):21.8pF @ 25V 功率 - 最大值:610mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BSS127L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):500 欧姆 @ 16mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS127H6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):500 欧姆 @ 16mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS138AKA/LF1R BSS138AKAR BSS138BK,215 BSS138BKS,115 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7 BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13 BSS138DWQ-7 BSS138-F085 BSS138K BSS138L BSS138LT1 BSS138LT1G BSS138LT3
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