BSS139H6906XTSA1全国供应商 BSS139H6906XTSA1资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

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说明
操作

BSS139H6906XTSA1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Infineon Technologies
TO-236-3，SC-59，SOT-2
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

BSS139H6906XTSA1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BSS139H6906XTSA1
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83276452
地址：坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室
3000
Infineon
21+
ORIGINAL
-
全新原装5天

BSS139H6906XTSA1
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Infineon Technologies
17+
-
全新原装现货

BSS139H6906XTSA1
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
INFINEON
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

BSS139H6906XTSA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
INFINEON
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

BSS139H6906XTSA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSS139H6906XTSA1
深圳市盛芯世纪科技有限公司
深圳市盛芯世纪科技有限公司
联系人：杨先生，www.dz-ic.cn
电话：0755-8397991513312996395
地址：深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F
资质：营业执照
30
INFINEON
INFINEON
21+
-
原装正品www.dz-ic.cn

BSS139H6906XTSA1
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
19+
-
代理直销！进口原装正品！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
SMALL SIGNAL N-CH - Tape and Reel

BSS139H6906XTSA1 技术参数

BSS139H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 56μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:76pF @ 25V FET 功能:耗尽模式功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 100μA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS139 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 100μA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 56μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS139 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 0.1mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 56μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS139 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 0.1mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 56μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS138W-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:27pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-323 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1 BSS-150-01-L-D-A BSS-150-01-L-D-EM2 BSS-150-01-L-D-LC BSS159N E6327 BSS159N E6906 BSS159N H6327 BSS159N H6906 BSS159NH6327XTSA1 BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6906XTSA1 BSS159NL6327HTSA1 BSS159NL6906HTSA1 BSS169 E6327 BSS169 E6906 BSS169H6327XTSA1 BSS169H6906XTSA1 BSS169L6327HTSA1 BSS169L6906HTSA1

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