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BSTN4486K

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  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 101

  • SIEMENS

  • 模块

  • 2022+

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  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

    联系人:林小姐/欧阳先生

    电话:0755-832450508278593918923762408微信同号

    地址:深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室

    资质:营业执照

  • 6000

  • SIEMENS

  • 原厂原装

  • 23+

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  • 只做原装正品

  • BSTN4486K
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8500

  • SIEMENS

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  • BSTN4486K
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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:廖R

    电话:13163738578

    地址:龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707

  • 9000

  • SIEMENS

  • 原厂原装

  • 19+

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  • 只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

  • BSTN4486K
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  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

    电话:1892843782715626510689杨小姐

    地址:华强路汇商中心

  • 10000

  • SIEMENS

  • 原厂原装

  • 21+

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  • 只做原装正品

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BSTN4486K 技术参数
  • BST82,235 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 150mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:10,000 BST82,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):190mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 150mA,5V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 BST72A,112 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 150mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 BST62-70TA 功能描述:TRANS PNP DARL 72V 0.5A SOT89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):72V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1,000 BST62,115 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BST62 标准包装:1 BSTS-27X4 BSTS-27X4/CL/NM BSTS-35X25/FR/NM BSTS-45X25/FR/NM BSTS-45X4 BSU-10BFFM-SL7A01 BSU-10BFFM-SL7A02 BSU-10BFFM-SL7A05 BSU-10BFFM-SL7A10 BSU-10BFFM-SR6A01 BSU-10BFFM-SR6A02 BSU-10BFFM-SR6A05 BSU-10BFFM-SR6A10 BSV10L BSV10Q BSV10X-D BSV10X-E BSV10X-L
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