BSZ036NE2LSATMA1全国供应商 BSZ036NE2LSATMA1资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSZ036NE2LSATMA1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

BSZ036NE2LSATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
INFINEON
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

BSZ036NE2LSATMA1
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
INFINEON
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

BSZ036NE2LSATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
0
INFINEON
NA
23+
-
功率MOSFET

BSZ036NE2LSATMA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
英飞凌
TO-3P
22+
-
原装现货

BSZ036NE2LSATMA1
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
52184
Infineon Technologies
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

BSZ036NE2LSATMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSZ036NE2LSATMA1
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
11954
Infineon(英飞凌)
22+
-
全新原装现货

BSZ036NE2LSATMA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
5000
INFINEON
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

1/1页 40条/页共8条
1

您是不是要找： BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ042N04NS G BSZ042N04NSGATMA1 BSZ042N06NS BSZ042N06NSATMA1 BSZ0500NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 BSZ0502NSIATMA1

BSZ036NE2LSATMA1 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSZ036NE2LSATMA1 PDF下载

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin TSDSON EP
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8

BSZ036NE2LSATMA1 技术参数

BSZ036NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ035N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:74nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5700pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），69W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ035N03MS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5700pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ035N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4400pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ034N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 标准包装:1 BSZ0503NSIATMA1 BSZ0506NSATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 BSZ0589NSATMA1 BSZ058N03LS G BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03MSGATMA1 BSZ060NE2LS BSZ060NE2LSATMA1 BSZ065N03LS BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ067N06LS3 G BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ068N06NSATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

在采购BSZ036NE2LSATMA1进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

友情提醒：为规避购买BSZ036NE2LSATMA1产品风险，建议您在购买BSZ036NE2LSATMA1相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明：以上所展示的BSZ036NE2LSATMA1信息由会员自行提供，BSZ036NE2LSATMA1内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

BSZ036NE2LSATMA1

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式