BSZ0994NSATMA1

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说明
操作

BSZ0994NSATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
100
INFINEON
NA
23+
-
功率MOSFET

BSZ0994NSATMA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
英飞凌
TO-3P
22+
-
原装现货

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON
制造商
infineon technologies
系列
OptiMOS??
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
890pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
7 毫欧 @ 5A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-TDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
标准包装
5,000

BSZ0994NSATMA1 技术参数

BSZ097N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 36μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2080pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ097N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 14μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），35W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.7 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ097N04LS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 14μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ096N10LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包装:带卷（TR）零件状态:在售安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:5,000 BSZ0910NDXTMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:5,000 BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ120P03NS3EGATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ123N08NS3 G BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ130N03LS G BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03MS G BSZ130N03MSGATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ165N04NS G BSZ165N04NSGATMA1 BSZ16DN25NS3 G