BSZ123N08NS3GINCT

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BSZ123N08NS3GINCT 技术参数

BSZ123N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 33μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:25nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），66W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.3 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:1 BSZ123N08NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 33μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 40V 功率 - 最大值:66W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ120P03NS3GATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 73μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3360pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ120P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 73μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3360pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ110N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 22μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 标准包装:1 BSZ165N04NS G BSZ165N04NSGATMA1 BSZ16DN25NS3 G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ215CHXTMA1 BSZ22DN20NS3 G BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ240N12NS3 G BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ340N08NS3 G BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3 G BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3GATMA1