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BSZ160N10NS3 G

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 说明
  • 操作
  • BSZ160N10NS3 GATMA1
    BSZ160N10NS3 GATMA1

    BSZ160N10NS3 GATMA1

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:张育豪 13360528695

    电话:0755-23607487

    地址:深圳市福田区华富路1006号 航都大厦11楼一层

    资质:营业执照

  • 7581

  • INFINEON/英飞凌

  • TSDSON8

  • 22+

  • -
  • 原厂原装现货

  • BSZ160N10NS3 G
    BSZ160N10NS3 G

    BSZ160N10NS3 G

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 69800

  • INFINEON

  • 近两年生产

  • DFN-8

  • -
  • 每一片都来自原厂

  • BSZ160N10NS3 G
    BSZ160N10NS3 G

    BSZ160N10NS3 G

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 250000

  • INFINEON

  • 其他电子元

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,价格超越代理!

  • BSZ160N10NS3 G
    BSZ160N10NS3 G

    BSZ160N10NS3 G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 53540

  • INFINEON

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • BSZ160N10NS3 G
    BSZ160N10NS3 G

    BSZ160N10NS3 G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3500

  • Infineon

  • S3O8

  • 13+

  • -
  • Infineon一级代理,价优

  • BSZ160N10NS3 G
    BSZ160N10NS3 G

    BSZ160N10NS3 G

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • INFINEON/英飞凌

  • TDSON8

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • BSZ160N10NS3 G
    BSZ160N10NS3 G

    BSZ160N10NS3 G

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512微信同号

    地址:上步工业区501栋410室

  • 30000

  • INFINEON/英飞凌

  • QFN

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • BSZ160N10NS3 G
    BSZ160N10NS3 G

    BSZ160N10NS3 G

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:雷小姐

    电话:0755-2391507123915070(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 65200

  • INFINEON/英飞凌

  • TSDSON-8

  • 2020+

  • -
  • 大中華區授權代理可接受訂貨

  • BSZ160N10NS3 G
    BSZ160N10NS3 G

    BSZ160N10NS3 G

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 2500

  • INFINEO

  • PG-TSDS

  • 22+

  • -
  • 公司原装现货,可订货,有单来谈QQ:16...

  • BSZ160N10NS3 G
    BSZ160N10NS3 G

    BSZ160N10NS3 G

  • 深圳市畅洲科技有限公司
    深圳市畅洲科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:156024408160755-82762262

    地址:深圳市福田区华强北街道华航社区深南中路3018号都会轩2506

    资质:营业执照

  • 10000

  • INFINEON/英飞凌

  • TDSON-8

  • 21+ 22+

  • -
  • 全新原装正品

  • BSZ160N10NS3 G
    BSZ160N10NS3 G

    BSZ160N10NS3 G

  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-23984783

    地址:华强广场C座22K

    资质:营业执照

  • 59880

  • INF

  • 21+

  • -
  • 一级代理现货库存,配单专家竭诚为您服务

  • 1/1页 40条/页 共26条 
  • 1
BSZ160N10NS3 G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-KANAL POWER MOS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BSZ160N10NS3 G 技术参数
  • BSZ15DC02KDHXTMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.1A, 3.2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 5.1A, 4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):419pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 标准包装:1 BSZ150N10LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 33μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2500pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ146N10LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:5,000 BSZ130N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),35A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ130N03MS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1300pF @ 15V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ240N12NS3 G BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ340N08NS3 G BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3 G BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ520N15NS3 G BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P
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