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BSZ180P03NS3E G

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BSZ180P03NS3E G
    BSZ180P03NS3E G

    BSZ180P03NS3E G

  • 深圳市畅洲科技有限公司
    深圳市畅洲科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:156024408160755-82762262

    地址:深圳市福田区华强北街道华航社区深南中路3018号都会轩2506

    资质:营业执照

  • 10000

  • INFINEON/英飞凌

  • TDSON-8

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品

  • BSZ180P03NS3E G
    BSZ180P03NS3E G

    BSZ180P03NS3E G

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 3327

  • INFINEON

  • NA

  • 23+

  • -
  • 功率MOSFET

  • BSZ180P03NS3E G
    BSZ180P03NS3E G

    BSZ180P03NS3E G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • 英飞凌

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!!

  • BSZ180P03NS3E G
    BSZ180P03NS3E G

    BSZ180P03NS3E G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 25000

  • INFINEON

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • BSZ180P03NS3E G
    BSZ180P03NS3E G

    BSZ180P03NS3E G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3500

  • Infineon

  • S3O8

  • 13+

  • -
  • Infineon一级代理,价优

  • BSZ180P03NS3E G
    BSZ180P03NS3E G

    BSZ180P03NS3E G

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 6000

  • 有30000个Infineon

  • DFN33

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • BSZ180P03NS3E G
    BSZ180P03NS3E G

    BSZ180P03NS3E G

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 69800

  • INFINEON

  • 近两年生产

  • DFN-8

  • -
  • 每一片都来自原厂

  • BSZ180P03NS3E G
    BSZ180P03NS3E G

    BSZ180P03NS3E G

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 2500

  • INFINEO

  • PG-TSDS

  • 22+

  • -
  • 公司原装现货,可订货,有单来谈QQ:16...

  • BSZ180P03NS3E G
    BSZ180P03NS3E G

    BSZ180P03NS3E G

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • Infineon(英飞凌)

  • PG-TSDSON-8

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • 1/1页 40条/页 共20条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET P-Channel -30V MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BSZ180P03NS3E G 技术参数
  • BSZ16DN25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10.9A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 32μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):11.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):165 毫欧 @ 5.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ16DN25NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10.9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):165 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 32μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ165N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.9A(Ta),31A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):840pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16.5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ165N04NS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.9A(Ta),31A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):840pF @ 20V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ160N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 12μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 50V 功率 - 最大值:63W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3 G BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ520N15NS3 G BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M BT-02-50M BT05-2A66 BT-1 BT1.5I-C
配单专家

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