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BTS112AE3O45A

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BTS112AE3O45A 技术参数

BTS110NKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:500 BTS110E3045ANTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 BTS110A 功能描述:Hex Standoff Threaded #6-32 Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件状态:有效类型:六角支座有丝/无丝:有螺纹公母:公头，母头螺钉，螺纹规格:#6-32 直径 - 内部:- 直径 - 外部:0.250"（6.35mm） 1/4" 六角形板间高度:0.375"（9.53mm） 3/8" 长度 - 总:0.625"（15.88mm）5/8" 特性:- 材料:黄铜镀层:镍颜色:- 重量:- 标准包装:500 BTS105A 功能描述:Hex Standoff Threaded #6-32 Brass 0.250" (6.35mm) 1/4" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件状态:有效类型:六角支座有丝/无丝:有螺纹公母:公头，母头螺钉，螺纹规格:#6-32 直径 - 内部:- 直径 - 外部:0.250"（6.35mm） 1/4" 六角形板间高度:0.250"（6.35mm）1/4" 长度 - 总:0.500"（12.70mm）1/2" 特性:- 材料:黄铜镀层:镍颜色:- 重量:- 标准包装:500 BTS-100-01-L-D-TR 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BTS 包装:带卷（TR）零件状态:在售连接器类型:插口，外罩触点针脚数:200 间距:0.025"（0.64mm）排数:2 安装类型:表面贴装特性:- 触头镀层:金触头镀层厚度:10μin（0.25μm）接合堆叠高度:5mm 板上高度:0.160"（4.06mm）标准包装:125 BTS117TC BTS117TCBUMA1 BTS118D BTS118DATMA1 BTS120A BTS121AE3045ANTMA1 BTS121ANKSA1 BTS-125-01-F-D BTS-125-01-F-D-A BTS-125-01-F-D-A-K BTS-125-01-F-D-K BTS-125-01-H-D-A BTS-125-01-H-D-A-K BTS-125-01-L-D BTS-125-01-L-D-A BTS-125-01-L-D-A-K BTS-125-01-L-D-A-TR BTS-125-01-L-D-EM2