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BTS115ASMD

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    BTS115ASMD

    BTS115ASMD

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • INFINEON

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

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  • 1
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BTS115ASMD 技术参数
  • BTS115ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 7.8A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):735pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:P-TO220AB 标准包装:500 BTS115A 功能描述:Hex Standoff Threaded #6-32 Brass 0.500" (12.70mm) 1/2" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件状态:有效 类型:六角支座 有丝/无丝:有螺纹 公母:公头,母头 螺钉,螺纹规格:#6-32 直径 - 内部:- 直径 - 外部:0.250"(6.35mm) 1/4" 六角形 板间高度:0.500"(12.70mm)1/2" 长度 - 总:0.750"(19.05mm)3/4" 特性:- 材料:黄铜 镀层:镍 颜色:- 重量:- 标准包装:500 BTS113ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):170 毫欧 @ 5.8A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:P-TO220AB 标准包装:500 BTS113AE3064NKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):170 毫欧 @ 5.8A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:P-TO220AB 标准包装:500 BTS113AE3045ANTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):170 毫欧 @ 5.8A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 BTS121AE3045ANTMA1 BTS121ANKSA1 BTS-125-01-F-D BTS-125-01-F-D-A BTS-125-01-F-D-A-K BTS-125-01-F-D-K BTS-125-01-H-D-A BTS-125-01-H-D-A-K BTS-125-01-L-D BTS-125-01-L-D-A BTS-125-01-L-D-A-K BTS-125-01-L-D-A-TR BTS-125-01-L-D-EM2 BTS-125-01-L-D-K BTS125A BTS130A BTS133 BTS133 E3045A
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