BTS3018TCATMA1全国供应商 BTS3018TCATMA1资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

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说明
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BTS3018TCATMA1
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
40229
22+
-
原装原厂现货

BTS3018TCATMA1
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区福华路世贸广场C座1106/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
369
Infineon Technologies
PG-TO263-3-2
25+
-
真实的资源竭诚服务您！

BTS3018TCATMA1
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-621049316210489162104578
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Infineon Technologies
标准封装
16+
-
假一罚十

BTS3018TCATMA1
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
837100
Infineon Technologies
最新批次
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BTS3018TCATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
INFINEON
con
24+
-
集成电路（IC）

BTS3018TCATMA1
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
INFINEON
con
24+
-
集成电路（IC）

BTS3018TCATMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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功能描述
IC PWR LOAD SWITCH 60V
制造商
infineon technologies
系列
HITFET?
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
开关类型
通用
输出数
1
比率 - 输入
输出
输出配置
低端
输出类型
N 通道
接口
开/关
电压 - 负载
60V（最大）
电压 - 电源（Vcc/Vdd）
不需要
电流 - 输出（最大值）
6A
导通电阻（典型值）
18 毫欧
输入类型
非反相
特性
-
故障保护
限流（固定），超温，过压
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
标准包装
1

BTS3018TCATMA1 技术参数

BTS282ZE3230AKSA2 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-7 供应商器件封装:PG-TO220-7 标准包装:500 BTS282ZE3180AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V FET 功能:温度保护功率耗散（最大值）:* 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:PG-TO263-7-1 标准包装:1 BTS282ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-7（成形引线）供应商器件封装:PG-TO220-7 标准包装:500 BTS282Z E3230 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-7 供应商器件封装:PG-TO220-7-230 标准包装:500 BTS282Z E3180A 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:PG-TO220-7-180 标准包装:1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1 BTS3125TFATMA1 BTS3134D BTS3134DATMA1 BTS3134NHUMA1

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