BU-CABLE-ADPT-CA3420-3-C51

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BU-CABLE-ADPT-CA3420-3-C51 技术参数

BUB941ZTT4 功能描述:TRANS NPN DARL 350V 15A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 5A，10V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 BUB941ZT 功能描述:TRANS NPN DARL 350V 15A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 5A，10V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1,000 BUB323ZT4G 功能描述:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 250mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 5A，4.6V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 BUB323ZT4 功能描述:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 250mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 5A，4.6V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 BUB323ZG 功能描述:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 250mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 5A，4.6V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 BUD42D-1G BUD42DG BUD42DT4 BUD42DT4G BUF01900AIDRCR BUF01900AIDRCT BUF01900AIPW BUF01900AIPWR BUF01901AIDRCR BUF01901AIDRCT BUF01901AIPW BUF01901AIPWG4 BUF01901AIPWR BUF04701AIDGSR BUF04701AIPWR BUF05703PW BUF05703PWG4 BUF05703PWR