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BU8244F-E2(P/B)

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BU8244F-E2(P/B) 技术参数
  • BU810 功能描述:TRANS NPN DARL 400V 7A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:7A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 700mA，7A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BU808DFI 功能描述:TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:400μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5A，5V 功率 - 最大值:52W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:ISOWATT-218-3 供应商器件封装:ISOWATT-218 标准包装:300 BU807TU 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 BU807 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,200 BU806 功能描述:TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:200V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BU-87-4 BU-87-5 BU-87-6 BU8761KV BU8763FV-E2 BU8766FV-E2 BU8770AFV-E2 BU8772KN-E2 BU8788KN-E2 BU-87-9 BU8793KN-E2 BU87C51FC1SF76 BU8871F-E2 BU8872FS-E2 BU8874 BU8874F-E2 BU8899GU-E2 BU8903GU-E2
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