BUK6212-40C,118全国供应商【买卖IC网】BUK6212-40C,118资料|PDF Datasheet|价格 Nexperia USA Inc.

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BUK6212-40C,118
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
NXP
TO-252
15+
-
原装正品，假一罚十

BUK6212-40C,118
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
DPAK
18+
-
MOSFET N-CH 40V 50A ...

BUK6212-40C,118
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
NEXPERIA/安世
SOT428
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BUK6212-40C,118
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

BUK6212-40C,118
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
DPAK
17+
-
全新原装现货

BUK6212-40C,118-NEX
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
1899
NEXPERIA
NA
近两年
-
查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

BUK6212-40C,118
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NXP
TO-252
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！

BUK6212-40C,118
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
6432
Nexperia USA Inc.
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

BUK6212-40C,118
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
8676
nxp
23941969
16+ to-252
-
进口原装现货，一定自己库存

BUK6212-40C,118
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

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功能描述
MOSFET N-CHAN 40V 50A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BUK6212-40C,118 技术参数

BUK6211-75C,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 74A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:74A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:81nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5251pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK6210-55C,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 78A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:78A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:63nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:128W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK6209-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1760pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.8 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK6208-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:67nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3720pF @ 25V 功率 - 最大值:128W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 BUK6207-55C,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:82nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5160pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK624R5-30C,118 BUK625R0-40C,118 BUK625R2-30C,118 BUK626R2-40C,118 BUK6507-55C,127 BUK6507-75C,127 BUK6510-75C,127 BUK652R0-30C,127 BUK652R1-30C,127 BUK652R3-40C,127 BUK652R6-40C,127 BUK652R7-30C,127 BUK653R2-55C,127 BUK653R3-30C,127 BUK653R4-40C,127 BUK653R5-55C,127 BUK653R7-30C,127 BUK654R0-75C,127

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