配单专家企业名单

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说明
操作

BUK6507-75C
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13620
NXP
TO-220
22+
-
只做全新原装正品现货

BUK6507-75C,127
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-220AB
18+
-
MOSFET N-CH 75V 100A...

BUK6507-75C,127
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
TO-220AB
17+
-
全新原装现货

BUK6507-75C
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
PHNXP
TO-220AB
22+
-
十年配单，只做原装

BUK6507-75C
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
127
11660
1521+
NXP SEMIC
-

BUK6507-75C
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
NXP/恩智浦
TO-220AB
23+
-
原装正品欢迎咨询

BUK6507-75C
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：严艺浦
电话：18682365538
地址：上步工业区501栋410室
20000
NXP/恩智浦
TO-220AB
23+
-
原装正品欢迎咨询

BUK6507-75C
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖女士
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
NXP
TO-220AB
10+
-
原装现货优势库存

BUK6507-75C
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
23270
NXP/恩智浦
TO-220AB
22+
-

BUK6507-75C
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
NXP
PEm151104
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BUK6507-75C
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
84000
NXP/恩智浦
TO-220
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

BUK6507-75C
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
32500
nxp
to-220ab
2016+
-
进口原装现货，一定自己库存

BUK6507-75C
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP/恩智浦
22+
N/A
-
原装正品专业BOM配单

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFETN CH75V72ASOT78
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET,N CH,75V,72A,SOT78

BUK6507-75C 技术参数

BUK6507-55C,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5160pF @ 25V 功率 - 最大值:158W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK626R2-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3720pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:128W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK625R2-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:54.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3470pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:128W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.2 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK625R0-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:88nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK624R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:78nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4707pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK653R4-40C,127 BUK653R5-55C,127 BUK653R7-30C,127 BUK654R0-75C,127 BUK654R6-55C,127 BUK654R8-40C,127 BUK655R0-75C,127 BUK6607-55C,118 BUK6607-75C,118 BUK6610-75C,118 BUK661R6-30C,118 BUK661R8-30C,118 BUK661R9-40C,118 BUK662R4-40C,118 BUK662R5-30C,118 BUK662R7-55C,118 BUK663R2-40C,118 BUK663R5-30C,118

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