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BUK657-450A,B

配单专家企业名单
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  • BUK657-450A,B
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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 10000

  • PHILIPS

  • TO-220

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • BUK657-450A,B
    BUK657-450A,B

    BUK657-450A,B

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • PHNXP

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • 1/1页 40条/页 共1条 
  • 1
BUK657-450A,B PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
BUK657-450A,B 技术参数
  • BUK655R0-75C,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.3 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):177nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11400pF @ 25V 功率 - 最大值:263W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK654R8-40C,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.8 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):88nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5200pF @ 25V 功率 - 最大值:158W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK654R6-55C,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.4 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):124nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7750pF @ 25V 功率 - 最大值:204W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK654R0-75C,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):234nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):15450pF @ 25V 功率 - 最大值:306W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK653R7-30C,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.9 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):78nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4707pF @ 25V 功率 - 最大值:158W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK663R2-40C,118 BUK663R5-30C,118 BUK663R5-55C,118 BUK663R7-75C,118 BUK664R4-55C,118 BUK664R6-40C,118 BUK664R8-75C,118 BUK6C2R1-55C,118 BUK6C3R3-75C,118 BUK6D43-40PX BUK6D43-60EX BUK6E2R0-30C,127 BUK6E2R3-40C,127 BUK6E3R2-55C,127 BUK6E3R4-40C,127 BUK6E4R0-75C,127 BUK7105-40AIE,118 BUK7105-40ATE,118
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