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BUK663R7-75C,118

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BUK663R7-75C,118
    BUK663R7-75C,118

    BUK663R7-75C,118

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NEXPERIA/安世

  • TO-263

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • BUK663R7-75C,118
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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 1899

  • NEXPERIA

  • NA

  • 近两年

  • -
  • 查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

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    BUK663R7-75C,118

    BUK663R7-75C,118

  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质:营业执照

  • 2819

  • Nexperia

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 授权分销商,可追溯原厂可含税

  • BUK663R7-75C,118
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    BUK663R7-75C,118

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 75V 120A...

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    BUK663R7-75C,118

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  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 48000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT404

  • 21+原装

  • -
  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

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    BUK663R7-75C,118

  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人:

    电话:13480313979

    地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质:营业执照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原装正品 专业BOM配单

  • BUK663R7-75C,118
    BUK663R7-75C,118

    BUK663R7-75C,118

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 800

  • NEXPERIA

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

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BUK663R7-75C,118 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHAN 75V 120A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BUK663R7-75C,118 技术参数
  • BUK663R5-55C,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):191nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):11516pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):263W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.4 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 BUK663R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):78nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4707pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):158W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 BUK663R2-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):125nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):8020pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):204W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.2 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 BUK662R7-55C,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):258nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):15300pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):306W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 BUK662R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):114nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6960pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):204W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 BUK6E3R2-55C,127 BUK6E3R4-40C,127 BUK6E4R0-75C,127 BUK7105-40AIE,118 BUK7105-40ATE,118 BUK7107-40ATC,118 BUK7107-55AIE,118 BUK7107-55ATE,118 BUK7108-40AIE,118 BUK7109-75AIE,118 BUK7109-75ATE,118 BUK714R1-40BT,118 BUK7207-30B,118 BUK7208-40B,118 BUK7210-55B,118 BUK7210-55B/C1,118 BUK7212-55B,118 BUK7213-40A,118
配单专家

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