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BUK7523-55A

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  • BUK7523-55A
    BUK7523-55A

    BUK7523-55A

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 25000

  • PHILIPS

  • TO220

  • 2024+

  • -
  • 一级代理商原装现货

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  • 1
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BUK7523-55A 技术参数
  • BUK7520-55A,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):54A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1592pF @ 25V 功率 - 最大值:118W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK7520-100A,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):63A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4373pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK751R8-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):145nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):11340pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):349W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 BUK751R6-30E,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):154nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11960pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK7516-55A,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 65.7A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):65.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2245pF @ 25V 功率 - 最大值:138W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK752R7-30B,127 BUK752R7-60E,127 BUK7535-100A,127 BUK7535-55A,127 BUK753R1-40B,127 BUK753R1-40E,127 BUK753R4-30B,127 BUK753R5-60E,127 BUK753R8-80E,127 BUK7540-100A,127 BUK754R0-40C,127 BUK754R0-55B,127 BUK754R3-40B,127 BUK754R3-75C,127 BUK754R7-60E,127 BUK755R2-40B,127 BUK755R4-100E,127 BUK7575-100A,127
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