BUK765R2-40B 贴片三极管

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BUK765R2-40B 贴片三极管
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
15788
NXP/恩智浦
D2PAK
22+
-

BUK765R2-40B 贴片三极管
深圳市莱特斯电子科技有限公司
深圳市莱特斯电子科技有限公司
联系人：江先生
电话：19176527791
地址：深圳市福田区赛格广场1609A
资质：营业执照
30000
NXP/恩智浦
TO-263
21+
-
?代理原装公司现货假一罚十?

BUK765R2-40B 贴片三极管
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
84000
NXP/恩智浦
TO-263
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

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BUK765R2-40B 贴片三极管技术参数

BUK765R0-100E,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:180nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11810pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:357W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK764R4-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:82nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6230pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:234W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK764R3-40B,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4824pF @ 25V 功率 - 最大值:254W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 BUK764R2-80E,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:136nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:10426pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:324W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK764R0-75C,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:142nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11659pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:333W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK769R6-80E,118 BUK78150-55A,115 BUK78150-55A,135 BUK78150-55A/CUF BUK78150-55A/CUX BUK7880-55,135 BUK7880-55/CUF BUK7880-55A,115 BUK7880-55A/CUX BUK7905-40AI,127 BUK7905-40AIE,127 BUK7905-40ATE,127 BUK7907-40ATC,127 BUK7907-55AIE,127 BUK7907-55ATE,127 BUK7908-40AIE,127 BUK7909-75AIE,127 BUK7909-75ATE,127