BUK7S1R5-40HJ

配单专家企业名单

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说明
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BUK7S1R5-40HJ
现货
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王小康
电话：181886423070755-21006672
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
NEXPERIA
TO262
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

BUK7S1R5-40HJ
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
2829
Nexperia
SMD
22+
-
授权分销商，可追溯原厂可含税

BUK7S1R5-40HJ
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
29300
NEXPERIA
LFPAK-88-4
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

BUK7S1R5-40HJ
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
VISHAY
SOP
20+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

BUK7S1R5-40HJ
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
1910+
728
SOT23-3
-
进口原装现货支持实单价优

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1

您是不是要找： BUK7Y07-30B,115 BUK7Y08-40B,115 BUK7Y08-40B/C,115 BUK7Y102-100B,115 BUK7Y10-30B,115 BUK7Y113-100EX BUK7Y12-100EX BUK7Y12-40EX BUK7Y12-55B,115

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BUK7S1R5-40HJ 技术参数

BUK7M9R9-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2007pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.9 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 BUK7M8R0-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:69A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:23.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1567pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33 标准包装:1 BUK7M6R3-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:28.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1912pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33 标准包装:1 BUK7M67-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:334pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:31W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:67 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 BUK7M45-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:317pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:31W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33 标准包装:1 BUK7Y12-80EX BUK7Y13-40B,115 BUK7Y14-80EX BUK7Y15-100EX BUK7Y153-100EX BUK7Y15-60EX BUK7Y18-55B,115 BUK7Y18-75B,115 BUK7Y19-100EX BUK7Y1R7-40HX BUK7Y20-30B,115 BUK7Y21-40EX BUK7Y22-100EX BUK7Y25-40B,115 BUK7Y25-40B/C,115 BUK7Y25-60EX BUK7Y25-80EX BUK7Y28-75B,115