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BUK9222-55A,127

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BUK9222-55A,127
    BUK9222-55A,127

    BUK9222-55A,127

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • DPAK

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 55V 48A ...

  • BUK9222-55A,127
    BUK9222-55A,127

    BUK9222-55A,127

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • DPAK

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
BUK9222-55A,127 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET RAIL PWR-MOS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BUK9222-55A,127 技术参数
  • BUK9222-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 48A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):48A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2210pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):103W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 BUK9222-100EJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:* 零件状态:有效 标准包装:2,500 BUK9219-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 55A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2920pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):114W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17.6 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 BUK9217-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 64A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):64A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):35nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4029pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):167W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 185°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 BUK9216-100EJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:* 零件状态:有效 标准包装:2,500 BUK9237-55A,118 BUK9237-55A/C1,118 BUK9240-100A,118 BUK9240-100A/C1,11 BUK9245-55A,118 BUK9275-100A,118 BUK9277-55A,118 BUK9277-55A/CDJ BUK929R1-60EJ BUK9504-40A,127 BUK9505-30A,127 BUK9506-40B,127 BUK9506-55A,127 BUK9506-55B,127 BUK9506-75B,127 BUK9507-30B,127 BUK9508-55A,127 BUK9508-55B,127
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