BUK961R5-30E,118

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BUK961R5-30E,118
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
D2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 30V 120A...

BUK961R5-30E,118
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
D2PAK
17+
-
全新原装现货

BUK961R5-30E,118
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

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功能描述
MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BUK961R5-30E,118 技术参数

BUK961R4-30E,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:113nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16150pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 BUK9618-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:61A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2210pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 BUK96180-100A,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:619pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:54W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:173 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK9616-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:67A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4034pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:157W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK9616-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3085pF @ 25V 功率 - 最大值:138W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 BUK9629-100B,118 BUK962R1-40E,118 BUK962R5-60E,118 BUK962R6-40E,118 BUK962R8-30B,118 BUK962R8-60E,118 BUK9635-100A,118 BUK9635-55,118 BUK9635-55A,118 BUK9637-100E,118 BUK963R1-40E,118 BUK963R2-40B,118 BUK963R3-60E,118 BUK9640-100A,118 BUK964R1-40E,118 BUK964R2-55B,118 BUK964R2-60E,118 BUK964R2-80E,118