BUK9C3R8-80EJ全国供应商 BUK9C3R8-80EJ资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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价格
说明
操作

BUK9C3R8-80EJ
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
D2PAK-7
18+
-
MOSFET N-CH 80V D2PA...

BUK9C3R8-80EJ
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
D2PAK-7
17+
-
全新原装现货

BUK9C3R8-80EJ
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
NXP/恩智浦
D2PAK
22+
-
十年配单，只做原装

BUK9C3R8-80EJ
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
18731
NXP/恩智浦
D2PAK
22+
-

BUK9C3R8-80EJ
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NXP
D2PAK
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

BUK9C3R8-80EJ
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
NXP USA Inc.
原厂封装
20+
-

BUK9C3R8-80EJ
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

BUK9C3R8-80EJ
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：18998919871
地址：深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602
1000
NXP USA Inc.
带卷（TR）
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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功能描述
MOSFET N-CH 80V D2PAK
制造商
nxp semiconductors
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
-
功率 - 最大值
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商器件封装
D2PAK-7
标准包装
800

BUK9C3R8-80EJ 技术参数

BUK9C2R2-60EJ 功能描述:MOSFET N-CH 60V D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB 供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:800 BUK9C1R3-40EJ 功能描述:MOSFET N-CH 40V D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 90A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:349W 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 BUK9C07-65BIT,118 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包装:带卷（TR）零件状态:停產安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-7，DPak（6 引线 + 接片）供应商器件封装:DPAK 标准包装:1,500 BUK9907-55ATE,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式），逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:108nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5836pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-5 供应商器件封装:TO-220-5 标准包装:50 BUK9907-40ATC,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5836pF @ 25V FET 功能:温度检测二极管功率耗散（最大值）:272W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 50A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220-5 封装/外壳:TO-220-5 标准包装:50 BUK9E1R8-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 BUK9E2R3-40E,127 BUK9E2R8-60E,127 BUK9E3R2-40B,127 BUK9E3R2-40E,127 BUK9E3R7-60E,127 BUK9E4R4-40B,127 BUK9E4R4-80E,127 BUK9E4R9-60E,127 BUK9E6R1-100E,127 BUK9E8R5-40E,127 BUK9GTHP-55PJTR,51 BUK9K12-60EX BUK9K134-100EX BUK9K13-60EX BUK9K17-60EX BUK9K18-40E,115

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