BUK9M24-60EX全国供应商【买卖IC网】BUK9M24-60EX资料|PDF Datasheet|价格 Nexperia USA Inc.

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供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BUK9M24-60EX
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK33
18+
-
MOSFET N-CH 60V 32A ...

BUK9M24-60EX
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Nexperia(安世)
LFPAK33
刚到货
-
代理可含税开票

BUK9M24-60EX
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13620
NXP
SOT-1210， 8-LFPAK33
22+
-
只做全新原装正品现货

BUK9M24-60EX
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5368
NEXPERIA
23+
-
原厂原装正品现货

BUK9M24-60EX
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
NEXPERIA
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

BUK9M24-60EX
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
LFPAK33
17+
-
全新原装现货

BUK9M24-60EX
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
NEXPERIA
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

BUK9M24-60EX
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
10400
NEXPERIA
SOT-1210
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

BUK9M24-60EX
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
NEXPERIA
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

BUK9M24-60EX
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
13179
NEXPERIA/安世
NA
20+
-
进口原装正品假一赔十

BUK9M24-60EX
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
19+
3000
SOP8
-
进口原装现货支持实单价优

BUK9M24-60EX
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1500
NEXPERIA
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK
制造商
nexperia usa inc.
系列
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
12.4nC @ 5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1469pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
55W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
21 毫欧 @ 10A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
LFPAK33
封装/外壳
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
标准包装
1

BUK9M24-60EX 技术参数

BUK9M24-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.7nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:798pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:44W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33 标准包装:1 BUK9M23-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2808pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 BUK9M19-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1814pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 BUK9M17-30EX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:725pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:44W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33 标准包装:1 BUK9M156-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7.4nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:695pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:36W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 BUK9M7R2-40EX BUK9M85-60EX BUK9M9R1-40EX BUK9MJT-55PRF,518 BUK9Y07-30B,115 BUK9Y09-40B,115 BUK9Y104-100B,115 BUK9Y107-80EX BUK9Y11-30B,115 BUK9Y11-30B/C1,115 BUK9Y113-100E,115 BUK9Y11-80EX BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-55B,115 BUK9Y12-80E,115 BUK9Y14-40B,115 BUK9Y14-80E,115

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