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BUZ73H3046XKSA1

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • BUZ73H3046XKSA1
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  • 深圳市正永电子有限公司
    深圳市正永电子有限公司

    联系人:陈小姐

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
BUZ73H3046XKSA1 技术参数
  • BUZ73E3046XK 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:500 BUZ73ALHXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 3.5A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ73AL 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 3.5A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ73AE3046XK 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ73A H3046 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BV002ASQ20049CZ BV002BSQ20049CZ BV002SSQ160404CZ BV002SSQ200404CZ BV-003-1A BV020-5370.0 BV020-5371.0 BV020-5372.0 BV020-5373.0 BV020-5374.0 BV020-5375.0 BV020-5376.0 BV020-5377.0 BV020-5378.0 BV020-5382.0 BV020-5383.0 BV020-5384.0 BV020-5385.0
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