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BXM12-200,RD8.2P-T1,BZX84C5V6T/R,NSVD200

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BXM12-200,RD8.2P-T1,BZX84C5V6T/R,NSVD200 技术参数
  • BXL4004-1E 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):8200pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):75W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.9 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:150°C 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220-3 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 BXL4001 功能描述:MOSFET N-CH 75V 85A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):85A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12.4 毫欧 @ 43A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6700pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220(LS) 标准包装:100 BXJL-36R/B 功能描述:XJL-STD BANANA PLUG 36" 1 R/B 制造商:e-z-hook 系列:E-Z-MACRO-HOOK?? XJL 零件状态:有效 类型:插接线 配置:香蕉插头至抓取器,钩 第一连接器:香蕉插头,单路 第二连接器:巨型钩 电缆长度:36.0"(914.40mm) 内容:2 条引线,黑色和红色 材料 - 绝缘:聚氯乙烯(PVC) 堆叠方法:不可堆叠 线规:18 AWG 电压 - 额定:5000V(5kV) 额定电流:4A 等级:- 标准包装:1 BXJ-36R/B 功能描述:MACRO-HOOK XJ TO STD BAN PLUG 制造商:e-z-hook 系列:E-Z-MACRO-HOOK?? XJ 零件状态:有效 类型:插接线 配置:香蕉插头至抓取器,钩 第一连接器:香蕉插头,单路 第二连接器:巨型钩 电缆长度:36.0"(914.40mm) 内容:2 条引线,黑色和红色 材料 - 绝缘:聚氯乙烯(PVC) 堆叠方法:不可堆叠 线规:18 AWG 电压 - 额定:5000V(5kV) 额定电流:4A 等级:- 标准包装:1 BXIR-85120AA-0900 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.9V 1.5A 270mW/sr @ 1A 120° 3-SMD, No Lead 制造商:bridgelux 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):1.5A 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):270mW/sr @ 1A 波长:850nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.9V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,无引线 标准包装:1,000 BXM-36GRN BXM-36R/B BXM-36RED BXM-36-S BXM4N BXM4N-1A BXPX-27E0400-A-0300 BXPX-27E0400-A-0300-SB BXPX-27E0400-A-0400 BXPX-27E0400-A-0400-SB BXPX-27E0400-B-0300 BXPX-27E0400-B-0300-SB BXPX-27E0400-B-0400 BXPX-27E0400-B-0400-SB BXPX-27G0400-A-0300 BXPX-27G0400-A-0300-SB BXPX-27G0400-A-0400 BXPX-27G0400-A-0400-SB
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