BYC10-600两脚

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BYC10-600两脚技术参数

BYC10-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:19ns 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1,000 BYC10-600CT,127 功能描述:DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2.9V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 600V 工作温度 - 结:150°C（最大）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 基本零件编号:BYC10-600CT 标准包装:1,000 BYC10-600,127 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2.9V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BYC10-600 标准包装:1,000 BY527TR 功能描述:Diode Avalanche 800V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.65V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:16pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BY527TAP 功能描述:Diode Avalanche 800V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.65V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:16pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYC15X-600PQ BYC20-600,127 BYC20D-600PQ BYC20DX-600PQ BYC20X-600,127 BYC20X-600PQ BYC30-1200PQ BYC30-600P,127 BYC30B-600PJ BYC30DW-600PQ BYC30W-1200PQ BYC30W-600PQ BYC30W-600PT2Q BYC30WT-600PQ BYC30X-600P,127 BYC5-1200PQ BYC5-600,127 BYC5-600PQ