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BYC30U-600P

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BYC30U-600P 技术参数
  • BYC30DW-600PQ 功能描述:BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR 制造商:ween semiconductors 系列:* 零件状态:在售 标准包装:450 BYC30B-600PJ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):30A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:2.75V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:800 BYC30-600P,127 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):30A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.8V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:1,000 BYC30-1200PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V 电流 - 平均整流(Io):30A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:3.3V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):65ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:1,000 BYC20X-600PQ 功能描述:Diode Standard 600V 20A Through Hole TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.5V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 全封装,隔离接片 供应商器件封装:TO-220F 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:50 BYC5B-600,118 BYC5D-500,127 BYC5DX-500,127 BYC5X-600,127 BYC5X-600PQ BYC60W-600PQ BYC75W-600PQ BYC8-1200PQ BYC8-600,127 BYC8-600P,127 BYC8B-600,118 BYC8B-600PJ BYC8B-600PQP BYC8D-600,127 BYC8DX-600,127 BYC8X-600,127 BYC8X-600P,127 BYD13DGP-E3/54
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